Dữ liệu biên mục

III-nitride based light emitting diodes and applications
Loại tài liệu: Book
Mã tài liệu: 96652
Mã ngôn ngữ: en
Thông tin xuất bản: Springer
Tình trạng vật lý: 498 p.
Từ khóa: Light emitting diodes; Nitrides
Danh mục: Kỹ thuật điện & điện tử
Năm xuất bản: 2017
Số sách còn lại: Không giới hạn
Thời gian mượn: Bạn chưa đăng nhập.
Tóm tắt theo nội dung: This book discusses LED production issues, including needed improvement in growth of high-quality nitride semiconductor epitaxial layers with a low density of dislocations, materials quality, efficiency droop, growth in different orientations and polarization.
Tóm tắt theo mục lục: Contributors; 1 Progress and Prospect of Growth of Wide-Band-Gap Group III Nitrides; 1.1 History of III-V Research (1950s-1970s); 1.2 Dawn of GaN Research (1970s to Mid-1980s); 1.3 Low-Temperature-Deposited Buffer Layer, p-Type GaN and Highly Luminescent InGaN (Late 1980s); 1.4 Summary; Acknowledgements; References; 2 Ultra-Efficient Solid-State Lighting: Likely Characteristics, Economic Benefits, Technological Approaches; Abstract; 2.1 Some Likely Characteristics of Ultra-efficient (greaterthan 70%) SSL; 2.2 The Ultimate SSL Source is Spiky; 2.2.1 Spiky Spectra Give Good CRI.
Lưu ý: Sử dụng ứng dụng Bookworm để xem đầy đủ tài liệu.
Bạn đọc có thể tải Bookworm từ App Store hoặc Google play với từ khóa “VNU LIC”.

Bình luận (0)