Dữ liệu biên mục

50 năm các công trình vật lý chọn lọc
Loại tài liệu: Book
Mã tài liệu: 77993
Mã ngôn ngữ: vi
Thông tin xuất bản: Giáo dục
Tình trạng vật lý: 1432 tr.
Từ khóa: Vật lý , Vật lý ứng dụng
Danh mục: Sách, Vật lý, Khoa học Vật lý & Kỹ thuật
Môn học: (07-TDHKHTN-TLTK) Tài liệu tham khảo, (10-TDHCN-TLTK) Tài liệu tham khảo
Năm xuất bản: 2001
Số sách còn lại: Không giới hạn
Thời gian mượn: Bạn chưa đăng nhập.
Tóm tắt theo nội dung: The exact dopant profile contents all the information about diffusion process, but in order to get that information it is necessary to have an acceptable consistent model to analyze the measured profile of impurity as well as to determine some diffusion parameters. This paper presents some developments of the enhanced diffiisivity and effective activation energy as well as activation energy diminution of dopants in silicon material. The semi-empirical expressions of impurity diffusivity and activation energy diminution in silicon is offered and discussed for the real diffusion process including the fast or anomalous diffusion case at high impurity concentration. On the base of the experimental diffusion profiles and the expressions given by the Author the diffiisivity and the effective activation energy of B, As, p dopants along the measured dopant profile were quickly calculated on Computer. The enhanced diffusivity, effective activation energy and activation energy diminution of dopants in high impurity region are shown
Lưu ý: Sử dụng ứng dụng Bookworm để xem đầy đủ tài liệu.
Bạn đọc có thể tải Bookworm từ App Store hoặc Google play với từ khóa “VNU LIC”.

Bình luận (0)